Układy scalone GaN HEMT chronią telefony przed przegrzaniem podczas ładowania

OPPO wykorzystuje urządzenia BiGaN w swoim telefonie do kontrolowania prądów ładowania i rozładowania baterii. To rzekomo pierwszy raz, gdy ta ochrona, oparta na technologii GaN, została wbudowana w sam telefon, a nie w ładowarce.

Krzemowe tranzystory MOSFET były używane jako przełączniki zasilania w telefonach komórkowych. Jednak nie tylko zajmuje dużo miejsca na głównej płytce drukowanej telefonu komórkowego, ale może również powodować znaczne przegrzanie i utratę mocy podczas szybkiego ładowania.

InnoGaN ma korzystne właściwości, takie jak wysoka częstotliwość, wysoka wydajność i niska rezystancja, które są istotnymi czynnikami efektywnego ładowania.

Dzięki niskiemu poziomowi R w InnoGaN_{DS (bieganie)}oraz fakt, że nie zawiera pasożytniczych diod, oraz dwukierunkową zaletę technologii BiGaN firmy Innoscience, BiGaN HEMT można wykorzystać do zastąpienia połączonych odwrotnie tranzystorów MOSFET NMOS we wspólnej konfiguracji źródła, aby uzyskać dwukierunkowe przełączanie ładowania akumulatora i prądy rozładowania.

Zmniejsza to opór obudowy o 50%, wielkość chipa o 70%, a wzrost temperatury o 40%.

Pierwszym urządzeniem BiGaN ogólnie wydanym przez Innoscience jest INN040W0488, 40V dwukierunkowy GaN-on-silicon HEMT w obudowie WLCSP 2,1 mm × 2,1 mm.

Układ obsługuje przełączanie dwukierunkowe z impedancją w stanie włączenia tak niską, jak 4,8 MΩ. BiGaN jest przeznaczony do zastosowań, takich jak obwody zabezpieczające przed przepięciami do ładowania smartfonów, obwody przełączające obciążenia po stronie wysokiego napięcia i obwody przełączające dla wielu systemów zasilania.

Innoscience rozszerza również łóżka dwukierunkowe, aby zmniejszyć rezystancję ogólnokrajową, a także wyższe napięcia.